AOP-A-010
黏著促進劑

AOP-A-010主要由羥基硅烷組成。當採用旋塗方式塗佈於基材表面時，其羥硅醇基（–Si–OH）會與基材上的羥基（–OH）反應，形成穩定的Si–O共價鍵，如圖1所示。此反應取代了原有的親水性功能基，形成約15奈米的超薄硅烷偶聯層，顯著增強光阻與基材之間的化學黏著力。

産品優勢

強化黏著力

形成穩定的Si–O共價鍵，牢固結合基材表面，顯著提升光阻的黏著性能。

殘留物減少

易溶於PGMEA顯影液，顯影後不留殘餘物，確保表面潔淨。

高熱穩定性

於150–180 °C熱退火處理後，處理層保持穩定，不干擾後續製程。

性能驗証區

FTIR分析結果：
FTIR分析顯示治療前於3100–3600 cm⁻¹範圍內有明顯的羥基（–OH）吸收峰。
AOP-A-010處理後，此羥基吸收峰強度明顯減弱，
指示表面活性羥基減少，並成功形成Si–O化學鍵。
此結果證實光阻與基材間的黏著力有顯著提升。

品質驗証

此數據經由三輪內部實驗室測試驗證，基於紅外光譜分析，確保數據可信且具真實性。

流程

基材清洗

使用超聲波處理並搭配丙酮及異丙醇清洗基材，以去除微粒和油脂。

Step 1

滴塗與旋塗

在基材上滴塗AOP-A-010，並以3000轉/分鐘旋塗30秒，形成黏著促進層。

Step 2

熱板退火

於150–180°C熱板上退火13分鐘，恢復潔淨表面。

Step 3

顯影工藝

在顯影過程中，該層可溶於PGMEA，避免殘留物影響後續製程。

Step 4

半導體光刻黏著促進劑的市場分析與創新解決方案

隨著半導體製程不斷微縮並更加精密，光阻與基材之間的黏著力已成為影響微/奈米結構穩定性及整體製造良率的關鍵因素。作為應對此挑戰的關鍵材料，黏著促進劑在決定光刻工藝成功與最終器件長期可靠性方面扮演著決定性角色。

本報告對市場主流黏著促進劑產品進行了全面的比較分析，特別聚焦我們的創新方案—AOP-A-010。該產品突破傳統技術的限制，為次世代光刻應用提供卓越性能。

根據市場研究結果顯示，隨著半導體持續微縮、先進光刻需求增長，以及業界朝向永續與精密製造趨勢發展，高性能黏著促進劑市場持續快速成長。市場領先產品著重純度、提升黏著強度、與新型光阻的相容性及環境合規，而AOP-A-010則在這些方面樹立了新標竿。

傳統産品

HMDS

(Hexamethyldisilazane)

HMDS (Hexamethyldisilazane)

  • 作用機制：HMDS與無氧表面的矽原子及氧化表面的氧原子反應，副產物為氨氣。
  • 主要特性：其非極性甲基基團隔離基材表面，形成疏水層，提升光阻潤濕性及附著力。
  • 使用方法：需專用氣相促進系統，並於75–120 °C加熱下施用。
  • 限制：處理與設備複雜，有化學毒性，僅適用於正性光阻。

Ti Prime

  • 作用機制：熱活化下，鈦離子與羥基結合，降低基板表面羥基含量。
  • 主要特性：旋塗工藝，有效提升矽或玻璃基板黏著力。
  • 使用方法：2000–4000 rpm旋塗20秒，接著熱板烘烤120 °C 2分鐘，或烤箱烘烤130 °C 10分鐘。
  • 限制：有輕微毒性，僅兼容正性光阻。

AR 300-80

AR 300-80

  • 作用機制：形成約15奈米聚合物薄膜，與後續光阻層無縫結合。
  • 主要特性：易塗佈，無毒，可用有機溶劑清除且不損黏著性。
  • 使用方法：4000 rpm旋塗，180 °C熱板烘烤2分鐘或烤箱烘烤25分鐘。
  • 改良版：適用於溫度敏感基材，烘烤溫度降至60 °C。
  • 限制：不適用於雙光子光刻的滴塗工藝，接口可能形成氣泡造成缺陷。

AOP -A-010

AOP -A-010

作用機制：基於AR 300-80技術，該配方加入專利表面能抑制劑，以提升界面性能。

主要優勢：

  • 獨特氣泡抑制技術：有效解決雙光子光刻（TPL）滴塗過程中氣泡產生問題。
  • 操作簡便：僅需熱板烘烤，無需複雜設備。
  • 適用範圍廣：兼容正性及負性光阻。
  • 環保無毒：完全無毒，符合現代綠色半導體製造標準。
  • 預防微結構變形：大幅提升光阻與基材界面穩定性，減少結構變形。
  • 提升良率：降低因黏著不良導致結構坍塌或變形，提升整體製造良率。
性能指標 HMDS TI PRIME AR 300-80 AOP-A-010
黏著工藝 發泡機＋烤箱
(複雜)		 熱板／烤箱
(中等)		 熱板／烤箱
(中等)		 熱板
(簡易)
化學毒性 有 低 無 無
適用光阻類型 僅正性 僅正性 正性／負性 正性／負性
抑制氣泡能力 無 無 無 有
製程相容性 傳統光刻 傳統光刻 傳統光刻 傳統光刻
+
雙光子光刻